maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Matrices / AON6926
Référence fabricant | AON6926 |
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Numéro de pièce future | FT-AON6926 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
AON6926 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | 2 N-Channel (Half Bridge) |
Caractéristique FET | Logic Level Gate |
Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 11A, 12A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 24nC @ 10V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1380pF @ 15V |
Puissance - Max | 1.9W, 2.1W |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-PowerVDFN |
Package d'appareils du fournisseur | 8-DFN (5x6) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AON6926 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | AON6926-FT |
DMT3020LFDB-13
Diodes Incorporated
DMT3020LFDB-7
Diodes Incorporated
DMC1030UFDBQ-13
Diodes Incorporated
DMN3032LFDBQ-13
Diodes Incorporated
DMP2160UFDBQ-7
Diodes Incorporated
DMN2041UFDB-7
Diodes Incorporated
DMN2050LFDB-7
Diodes Incorporated
DMP2100UFU-13
Diodes Incorporated
DMN53D0LDW-13
Diodes Incorporated
DMN66D0LDW-7
Diodes Incorporated
XC6SLX150T-N3FG900C
Xilinx Inc.
XC7S50-1FGGA484I
Xilinx Inc.
AFS600-1FG484I
Microsemi Corporation
LFE2-70E-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C50U484C8
Intel
EP2AGZ225HF40C4N
Intel
EP1M350F780I6N
Intel
XC7K325T-1FB676C
Xilinx Inc.
M2GL090-FGG676
Microsemi Corporation
EP1C20F400C8N
Intel