maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / AOI4102
Référence fabricant | AOI4102 |
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Numéro de pièce future | FT-AOI4102 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
AOI4102 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 8A (Ta), 19A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 37.5 mOhm @ 12A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 8nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 432pF @ 15V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 4.2W (Ta), 21W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | TO-251A |
Paquet / caisse | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AOI4102 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | AOI4102-FT |
AO4708
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AO4710
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AO4710L_101
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