maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Matrices / AOC3860
Référence fabricant | AOC3860 |
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Numéro de pièce future | FT-AOC3860 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
AOC3860 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
Caractéristique FET | Standard |
Drain à la tension source (Vdss) | - |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
Vgs (th) (Max) @ Id | 900mV @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 44nC @ 4.5V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Puissance - Max | 2.5W |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 6-XDFN |
Package d'appareils du fournisseur | 6-DFN (3.05x1.77) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AOC3860 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | AOC3860-FT |
AONY36352
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
DMN63D1LV-13
Diodes Incorporated
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Diodes Incorporated
LFXP2-8E-6TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1400AN-4FGG676I
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XC2S30-6VQ100C
Xilinx Inc.
LFE2-12E-6Q208I
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Microsemi Corporation
LCMXO1200E-4FTN256C
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EP2S60F672C3
Intel
XC2VP40-6FFG1152C
Xilinx Inc.
LFEC33E-4F672I
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LCMXO2-7000ZE-1FG484C
Lattice Semiconductor Corporation