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AOB7S65L Image

Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOB7S65L

Numéro de pièce MFG
AOB7S65L
quantité disponible
19150 Pièces
Prix de référence
USD 0.999912
Notre prix
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Date d'expédition
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fabricant
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Brève description
aMOS™ MOSFET N-CH 650V 7A TO263
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
AOB7S65L.pdf
AOB7S65L Image

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AOB7S65L Caractéristiques

Référence fabricant AOB7S65L
Numéro de pièce future FT-AOB7S65L
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries aMOS™
AOB7S65L Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 650V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 7A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 650 mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 9.2nC @ 10V
Vgs (Max) ±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 434pF @ 100V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 104W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur TO-263 (D²Pak)
Paquet / caisse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
AOB7S65L Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange AOB7S65L-FT

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