maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / AOB411L_001
Référence fabricant | AOB411L_001 |
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Numéro de pièce future | FT-AOB411L_001 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
AOB411L_001 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | P-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 60V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 8A (Ta), 78A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16.5 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 100nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 6400pF @ 30V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 187W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | TO-263 (D²Pak) |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AOB411L_001 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | AOB411L_001-FT |
AOD4146
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AT6010ALV-4AC
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5SGXEA5K3F40I3LN
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LFEC6E-5F484C
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5SGXEA3H2F35I3LN
Intel