maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Matrices / AO6808_101
Référence fabricant | AO6808_101 |
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Numéro de pièce future | FT-AO6808_101 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
AO6808_101 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
Caractéristique FET | Logic Level Gate |
Drain à la tension source (Vdss) | 20V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 4.6A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 23 mOhm @ 6A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 21nC @ 10V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 780pF @ 10V |
Puissance - Max | 800mW |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SC-74, SOT-457 |
Package d'appareils du fournisseur | 6-TSOP |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AO6808_101 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | AO6808_101-FT |
AO4616
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AO4832
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AO4840E
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LCMXO2280E-3T100C
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XCV405E-6FG676I
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XC4005-5PQ208C
Xilinx Inc.
A54SX16A-FG144M
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LFE2-50E-6FN672C
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10AX066H2F34E2SG
Intel
10AX032E1F29I1SG
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EP20K100BC356-2
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EPF10K100ABC356-2
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