maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Matrices / AO6608
Référence fabricant | AO6608 |
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Numéro de pièce future | FT-AO6608 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
AO6608 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N and P-Channel Complementary |
Caractéristique FET | Standard |
Drain à la tension source (Vdss) | 30V, 20V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 3.4A (Ta), 3.3A (Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60 mOhm @ 3.4A, 10V, 75 mOhm @ 3.3A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA, 1V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 3nC @ 4.5V, 10nC @ 4.5V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 235pF @ 15V, 510pF @ 10V |
Puissance - Max | 1.25W (Ta) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SC-74, SOT-457 |
Package d'appareils du fournisseur | 6-TSOP |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AO6608 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | AO6608-FT |
AO4612
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
AO4630
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