maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / AO6085N03
Référence fabricant | AO6085N03 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-AO6085N03 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
AO6085N03 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 11A (Ta), 50A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.5 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 24nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1380pF @ 15V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 1.9W (Ta), 31W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | 8-DFN (5x6) |
Paquet / caisse | 8-VDFN Exposed Pad |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AO6085N03 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | AO6085N03-FT |
2SK3816-DL-1EX
ON Semiconductor
2SK3821-E
ON Semiconductor
2SK3899(0)-ZK-E1-AZ
Renesas Electronics America
2SK3899(01)-ZK-E1-AY
Renesas Electronics America
2SK3901(0)-ZK-E1-AY
Renesas Electronics America
2SK3902(0)-ZK-E1-AY
Renesas Electronics America
2SK4065-DL-1EX
ON Semiconductor
2SK4065-E
ON Semiconductor
2SK4066-DL-1EX
ON Semiconductor
2SK4066-E
ON Semiconductor
LCMXO2-1200ZE-2TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1400AN-4FGG484C
Xilinx Inc.
10M08DCF484C8G
Intel
5SGXMB5R3F43C3N
Intel
5SGXMA7H3F35I3
Intel
LCMXO2280E-3B256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000ZE-1FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGTFC7H3F35I3G
Intel
EP1C4F400C8
Intel
EP20K200EBC356-1
Intel