maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / AO5401E
Référence fabricant | AO5401E |
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Numéro de pièce future | FT-AO5401E |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
AO5401E Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | P-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 20V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 500mA (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 800 mOhm @ 500mA, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 900mV @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | ±8V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 100pF @ 10V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 280mW (Ta) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | SC-89-3 |
Paquet / caisse | SC-89, SOT-490 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AO5401E Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | AO5401E-FT |
AOK20N60L
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AOK2500L
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AOK27S60L
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AOK18N65L
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AOK22N50L
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AOK29S50L
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AOK40N30L
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AOK53S60L
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AOK5N100
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AOK5N100L
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