maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / AO3418L_101
Référence fabricant | AO3418L_101 |
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Numéro de pièce future | FT-AO3418L_101 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
AO3418L_101 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 3.8A (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60 mOhm @ 3.8A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.8V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 3.6nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±12V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 270pF @ 15V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 1.4W (Ta) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-23-3 |
Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AO3418L_101 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | AO3418L_101-FT |
2SK3309(Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SK3353(0)-Z-E1-AZ
Renesas Electronics America
2SK3353-AZ
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2SK3353-Z-E1-AZ
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2SK3367(01)-Z-E1-AZ
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2SK3377(0)-Z-E1-AZ
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2SK3377(0)-Z-E2-AZ
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2SK3377-Z-E1-AZ
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2SK3377-Z-E2-AZ
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2SK3385(0)-Z-E1-AZ
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