maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / AO3409
Référence fabricant | AO3409 |
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Numéro de pièce future | FT-AO3409 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
AO3409 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | P-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 2.6A (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 130 mOhm @ 2.6A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 9nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 370pF @ 15V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 1.4W (Ta) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-23-3L |
Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AO3409 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | AO3409-FT |
AO4443L
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AO4444
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AO4446
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AO4447
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AO4447AL_201
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AO4448
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AO4450
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A3P1000L-FG484
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M1A3P600L-FGG484
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XC6SLX45T-N3CSG324C
Xilinx Inc.
LFE2M20SE-7F484C
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EP2C20Q240C8N
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