maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / AO3403L_102
Référence fabricant | AO3403L_102 |
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Numéro de pièce future | FT-AO3403L_102 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
AO3403L_102 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | P-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 2.6A (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 130 mOhm @ 2.6A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.4V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 5.3nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±12V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 500pF @ 15V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 1.4W (Ta) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-23-3 |
Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AO3403L_102 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | AO3403L_102-FT |
2N7236U
Microsemi Corporation
2N7636-GA
GeneSiC Semiconductor
2N7639-GA
GeneSiC Semiconductor
2N7640-GA
GeneSiC Semiconductor
2SJ598(0)-Z-E1-AZ
Renesas Electronics America
2SJ599(0)-Z-E1-AZ
Renesas Electronics America
2SJ599(0)-Z-E2-AZ
Renesas Electronics America
2SJ599(0)-ZK-E1-AY
Renesas Electronics America
2SJ600-Z-E1-AZ
Renesas Electronics America
2SJ601(0)-Z-E1-AZ
Renesas Electronics America
XA6SLX45-3FGG484Q
Xilinx Inc.
A42MX36-2BGG272I
Microsemi Corporation
M2GL090-FGG484
Microsemi Corporation
MPF300T-1FCG1152E
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-4FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL200F1517C2N
Intel
5SGXMA3K2F35I3N
Intel
XC5VSX50T-1FFG665C
Xilinx Inc.
LFE3-95E-7FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
MPM7128SQC100AC
Intel