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Référence fabricant | AL12B28N0GTR |
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Numéro de pièce future | FT-AL12B28N0GTR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | AL |
AL12B28N0GTR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Wirewound |
Matériau - Noyau | Air |
Inductance | 28nH |
Tolérance | ±2% |
Note actuelle | 4A |
Courant - Saturation | - |
Blindage | Unshielded |
Résistance DC (DCR) | 6 mOhm Max |
Q @ Freq | 105 @ 150MHz |
Fréquence - Auto-résonance | 1.8GHz |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C |
Fréquence d'inductance - Test | 150MHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | Nonstandard |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Taille / Dimension | 0.270" L x 0.120" W (6.86mm x 3.05mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.125" (3.18mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AL12B28N0GTR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | AL12B28N0GTR-FT |
6000-100K-TR-RC
Bourns Inc.
6000-101K-RC
Bourns Inc.
6000-122K-RC
Bourns Inc.
6000-180K-RC
Bourns Inc.
6000-181K-RC
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6000-220K-TR-RC
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6000-221K-RC
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6000-222K-RC
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6000-330K-TR-RC
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6000-390K-RC
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APA300-PQ208
Microsemi Corporation
LCMXO640E-3FT256I
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A42MX16-2VQG100
Microsemi Corporation
EP3C80U484C7N
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10M08DAF256I7G
Intel
5SGXMB5R3F40C2LN
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5SGXEA5K3F35I3LN
Intel
EP4SE530H35C2
Intel
XC4VFX100-10FFG1152C
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LFE3-70E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation