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Référence fabricant | AIUR-06-6R8K |
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Numéro de pièce future | FT-AIUR-06-6R8K |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | AIUR-06 |
AIUR-06-6R8K Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Wirewound |
Matériau - Noyau | Ferrite |
Inductance | 6.8µH |
Tolérance | ±10% |
Note actuelle | 5.6A |
Courant - Saturation | 10A |
Blindage | Unshielded |
Résistance DC (DCR) | 23 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Fréquence - Auto-résonance | - |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -25°C ~ 85°C |
Fréquence d'inductance - Test | 1kHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | Radial |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Taille / Dimension | 0.500" Dia (12.70mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.710" (18.03mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AIUR-06-6R8K Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | AIUR-06-6R8K-FT |
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Abracon LLC
A1415A-PQ100C
Microsemi Corporation
XC7A25T-2CSG325I
Xilinx Inc.
LAXP2-8E-5QN208E
Lattice Semiconductor Corporation
10M25DAF484C7G
Intel
5SGXMA4K1F35C2LN
Intel
EP4SGX530HH35C3NES
Intel
XC2VP20-6FF1152C
Xilinx Inc.
XC7K410T-2FFG900I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-CSG281
Microsemi Corporation
EP4CE40F29I7N
Intel