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Référence fabricant | AIUR-02H-3R3M |
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Numéro de pièce future | FT-AIUR-02H-3R3M |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | AIUR-02H |
AIUR-02H-3R3M Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Wirewound |
Matériau - Noyau | Ferrite |
Inductance | 3.3µH |
Tolérance | ±20% |
Note actuelle | 2.7A |
Courant - Saturation | 5.4A |
Blindage | Unshielded |
Résistance DC (DCR) | 30 mOhm Max |
Q @ Freq | 15 @ 7.96MHz |
Fréquence - Auto-résonance | - |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -25°C ~ 85°C |
Fréquence d'inductance - Test | 7.96MHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | Radial |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Taille / Dimension | 0.830" Dia (21.08mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.831" (21.10mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AIUR-02H-3R3M Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | AIUR-02H-3R3M-FT |
AIUR-04-472J
Abracon LLC
AIUR-04-101J
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A54SX16A-2TQG144
Microsemi Corporation
XC3S1000-4FGG676I
Xilinx Inc.
APA600-FGG484A
Microsemi Corporation
APA600-FG256
Microsemi Corporation
LCMXO3L-2100E-5UWG49ITR
Lattice Semiconductor Corporation
EP1C3T100I7
Intel
A3PN250-1VQG100
Microsemi Corporation
EP3C55F484C8
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5SGXEA7H3F35C2N
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5AGXMA5G4F31C4N
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