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Référence fabricant | AISR-875-560M |
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Numéro de pièce future | FT-AISR-875-560M |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | AISR-875 |
AISR-875-560M Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Wirewound |
Matériau - Noyau | - |
Inductance | 56µH |
Tolérance | ±20% |
Note actuelle | 1.2A |
Courant - Saturation | - |
Blindage | Shielded |
Résistance DC (DCR) | 180 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Fréquence - Auto-résonance | - |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 125°C |
Fréquence d'inductance - Test | 2.52MHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | Radial |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Taille / Dimension | 0.307" Dia (7.80mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.295" (7.50mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AISR-875-560M Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | AISR-875-560M-FT |
AIUR-02H-4R7M
Abracon LLC
AIUR-02H-100K
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Abracon LLC
A42MX09-2PQG100
Microsemi Corporation
XC6SLX100-3FGG676I
Xilinx Inc.
LFE2M100SE-5F1152I
Lattice Semiconductor Corporation
AT6003LV-4AC
Microchip Technology
5SGTMC7K2F40C1N
Intel
5SGXEA4H2F35C1N
Intel
5SGXMA3K1F35C2N
Intel
5CGTFD5C5F23C7N
Intel
10AX090S4F45E3SG
Intel
EP2SGX60DF780C3
Intel