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Référence fabricant | AISR-01-102J |
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Numéro de pièce future | FT-AISR-01-102J |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | AISR-01 |
AISR-01-102J Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Wirewound |
Matériau - Noyau | Ferrite |
Inductance | 1mH |
Tolérance | ±5% |
Note actuelle | 90mA |
Courant - Saturation | - |
Blindage | Shielded |
Résistance DC (DCR) | 3.4 Ohm Max |
Q @ Freq | 70 @ 50kHz |
Fréquence - Auto-résonance | 770kHz |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -25°C ~ 85°C |
Fréquence d'inductance - Test | 1kHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | Radial |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Taille / Dimension | 0.425" Dia (10.80mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.551" (14.00mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AISR-01-102J Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | AISR-01-102J-FT |
ASPI-0309-3R3M-T4
Abracon LLC
ASPI-0309-4R7M-T4
Abracon LLC
AIUR-16-152K
Abracon LLC
AIUR-16-3R9K
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AIUR-16-560K
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AIUR-16-5R6K
Abracon LLC
ICE40HX640-VQ100
Lattice Semiconductor Corporation
XCS10XL-4VQ100C
Xilinx Inc.
AGLN060V5-VQ100I
Microsemi Corporation
EP1M350F780C5
Intel
5SGXMA5N1F45C1N
Intel
EP4SE820H40C4N
Intel
AX1000-FG676
Microsemi Corporation
EP2AGX190EF29C5N
Intel
EPF10K50VBC356-4
Intel
EP3C40F324C8N
Intel