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Référence fabricant | AISM-1812-R15M-T |
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Numéro de pièce future | FT-AISM-1812-R15M-T |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | AISM-1812 |
AISM-1812-R15M-T Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Wirewound |
Matériau - Noyau | Ferrite |
Inductance | 150nH |
Tolérance | ±20% |
Note actuelle | 730mA |
Courant - Saturation | - |
Blindage | Unshielded |
Résistance DC (DCR) | 200 mOhm Max |
Q @ Freq | 35 @ 25.2MHz |
Fréquence - Auto-résonance | 250MHz |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C |
Fréquence d'inductance - Test | 25.2MHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 1812 (4532 Metric) |
Package d'appareils du fournisseur | 1812 |
Taille / Dimension | 0.177" L x 0.126" W (4.50mm x 3.20mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.110" (2.80mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AISM-1812-R15M-T Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | AISM-1812-R15M-T-FT |
AISM-1210-5R6K-T
Abracon LLC
AISM-1210-6R8K-T
Abracon LLC
AISM-1210-R12M-T
Abracon LLC
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Abracon LLC
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Abracon LLC
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Abracon LLC
AISM-1210-R68M-T
Abracon LLC
A42MX09-2PQG100
Microsemi Corporation
XC6SLX100-3FGG676I
Xilinx Inc.
LFE2M100SE-5F1152I
Lattice Semiconductor Corporation
AT6003LV-4AC
Microchip Technology
5SGTMC7K2F40C1N
Intel
5SGXEA4H2F35C1N
Intel
5SGXMA3K1F35C2N
Intel
5CGTFD5C5F23C7N
Intel
10AX090S4F45E3SG
Intel
EP2SGX60DF780C3
Intel