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Référence fabricant | AIRD-06-1R2M |
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Numéro de pièce future | FT-AIRD-06-1R2M |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | AIRD-06 |
AIRD-06-1R2M Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Wirewound |
Matériau - Noyau | Ferrite |
Inductance | 1.2µH |
Tolérance | ±20% |
Note actuelle | 11.4A |
Courant - Saturation | 108A |
Blindage | Unshielded |
Résistance DC (DCR) | 3 mOhm Max |
Q @ Freq | 15 @ 50kHz |
Fréquence - Auto-résonance | - |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -25°C ~ 85°C |
Fréquence d'inductance - Test | 1kHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | Radial |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Taille / Dimension | 0.827" Dia (21.00mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.827" (21.00mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AIRD-06-1R2M Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | AIRD-06-1R2M-FT |
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Xilinx Inc.
XC7A200T-1FBG676C
Xilinx Inc.
A54SX32A-1CQ208
Microsemi Corporation
EP4CE6E22A7N
Intel
5SGXMA9N2F45I2LN
Intel
5SGXMA4K3F35I3LN
Intel
XA7A75T-1CSG324I
Xilinx Inc.
LFE3-95EA-6FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N4F45E3LG
Intel
EPF10K30RI240-4N
Intel