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Référence fabricant | AIRD-02-6R8M |
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Numéro de pièce future | FT-AIRD-02-6R8M |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | AIRD-02 |
AIRD-02-6R8M Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Wirewound |
Matériau - Noyau | Ferrite |
Inductance | 6.8µH |
Tolérance | ±20% |
Note actuelle | 11.4A |
Courant - Saturation | 39A |
Blindage | Unshielded |
Résistance DC (DCR) | 7 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Fréquence - Auto-résonance | - |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -25°C ~ 85°C |
Fréquence d'inductance - Test | 1kHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | Radial, Vertical Cylinder |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Taille / Dimension | 0.827" Dia (21.00mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.827" (21.00mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AIRD-02-6R8M Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | AIRD-02-6R8M-FT |
AIUR-06-151K
Abracon LLC
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LCMXO2-4000HE-5TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
AT40K40LV-3BQC
Microchip Technology
XCVU080-H1FFVD1517E
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XC3S1600E-4FG484I
Xilinx Inc.
A3PE600-FG484I
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M1A3P600-2PQ208I
Microsemi Corporation
MPF300T-FCG484I
Microsemi Corporation
AGLN250V5-VQG100
Microsemi Corporation
LFE2M50E-6FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
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