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Référence fabricant | AIRD-02-2R2M |
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Numéro de pièce future | FT-AIRD-02-2R2M |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | AIRD-02 |
AIRD-02-2R2M Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Wirewound |
Matériau - Noyau | Ferrite |
Inductance | 2.2µH |
Tolérance | ±20% |
Note actuelle | 11.4A |
Courant - Saturation | 68A |
Blindage | Unshielded |
Résistance DC (DCR) | 4 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Fréquence - Auto-résonance | - |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -25°C ~ 85°C |
Fréquence d'inductance - Test | 1kHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | Radial, Vertical Cylinder |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Taille / Dimension | 0.827" Dia (21.00mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.827" (21.00mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AIRD-02-2R2M Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | AIRD-02-2R2M-FT |
AIUR-08-270K
Abracon LLC
AIUR-08-271K
Abracon LLC
AIUR-08-330K
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Abracon LLC
ICE40HX640-VQ100
Lattice Semiconductor Corporation
XCS10XL-4VQ100C
Xilinx Inc.
AGLN060V5-VQ100I
Microsemi Corporation
EP1M350F780C5
Intel
5SGXMA5N1F45C1N
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EP4SE820H40C4N
Intel
AX1000-FG676
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EP2AGX190EF29C5N
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EPF10K50VBC356-4
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EP3C40F324C8N
Intel