maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - RF / AFT09S200W02NR3
Référence fabricant | AFT09S200W02NR3 |
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Numéro de pièce future | FT-AFT09S200W02NR3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
AFT09S200W02NR3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | LDMOS |
La fréquence | 960MHz |
Gain | 19.2dB |
Tension - Test | 28V |
Note actuelle | - |
Figure de bruit | - |
Courant - Test | 1.4A |
Puissance - sortie | 56W |
Tension - nominale | 70V |
Paquet / caisse | OM-780-2 |
Package d'appareils du fournisseur | OM-780-2 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AFT09S200W02NR3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | AFT09S200W02NR3-FT |
BLF888,112
Ampleon USA Inc.
BF1208,115
NXP USA Inc.
BF1208D,115
NXP USA Inc.
NE3503M04-A
CEL
NE3503M04-T2-A
CEL
NE3508M04-A
CEL
NE3508M04-T2-A
CEL
NE3509M04-A
CEL
NE3509M04-T2-A
CEL
NE3510M04-A
CEL
A3P400-FGG484
Microsemi Corporation
M1A3PE3000-PQG208I
Microsemi Corporation
LFE5UM-45F-8BG381C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX022C4U19I3LG
Intel
EP3SE80F1152C2
Intel
XC3090L-8PC84I
Xilinx Inc.
XC4VLX100-10FFG1513C
Xilinx Inc.
A40MX02-3PQ100I
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000ZE-1FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX150DF31C8
Intel