maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - RF / AFT09MS007NT1
Référence fabricant | AFT09MS007NT1 |
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Numéro de pièce future | FT-AFT09MS007NT1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
AFT09MS007NT1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | LDMOS |
La fréquence | 870MHz |
Gain | 15.2dB |
Tension - Test | 7.5V |
Note actuelle | - |
Figure de bruit | - |
Courant - Test | 100mA |
Puissance - sortie | 7.3W |
Tension - nominale | 30V |
Paquet / caisse | PLD-1.5W |
Package d'appareils du fournisseur | PLD-1.5W-2 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AFT09MS007NT1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | AFT09MS007NT1-FT |
BLF6G20S-45,112
Ampleon USA Inc.
BLF6G22S-45,112
Ampleon USA Inc.
BLF6G27S-45,118
Ampleon USA Inc.
BLF6G27S-45,135
Ampleon USA Inc.
BLF6G38S-25,118
Ampleon USA Inc.
MRFG35010ANR5
NXP USA Inc.
MRF9030LSR5
NXP USA Inc.
MRF373ALSR1
NXP USA Inc.
ON5230,127
NXP USA Inc.
ON5233,118
NXP USA Inc.
A40MX02-3VQG80
Microsemi Corporation
M2GL010T-1FG484
Microsemi Corporation
EP2C70F672C8
Intel
5SGSMD6N3F45I4N
Intel
EP3SL200F1152I4
Intel
XC4006E-4PC84C
Xilinx Inc.
XC7VX415T-3FFG1927E
Xilinx Inc.
A40MX02-1PQG100I
Microsemi Corporation
LFE2M20SE-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXFA7H4F35C4N
Intel