Référence fabricant | A430P |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-A430P |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
A430P Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 1000V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1000A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.42V @ 3140A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 10µs |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 50mA @ 1000V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | DO-200AB, B-PUK |
Package d'appareils du fournisseur | DO-200AB, B-PUK |
Température de fonctionnement - Jonction | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
A430P Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | A430P-FT |
6A10GHB0G
Taiwan Semiconductor Corporation
6A10GHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation
6A20G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
6A20G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
6A20G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
6A20GHA0G
Taiwan Semiconductor Corporation
6A20GHB0G
Taiwan Semiconductor Corporation
6A20GHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation
6A40G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
6A40G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel