Référence fabricant | A430M |
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Numéro de pièce future | FT-A430M |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
A430M Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 600V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1000A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.42V @ 3140A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 10µs |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 50mA @ 600V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | DO-200AB, B-PUK |
Package d'appareils du fournisseur | DO-200AB, B-PUK |
Température de fonctionnement - Jonction | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
A430M Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | A430M-FT |
6A10G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
6A10GHA0G
Taiwan Semiconductor Corporation
6A10GHB0G
Taiwan Semiconductor Corporation
6A10GHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation
6A20G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
6A20G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
6A20G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
6A20GHA0G
Taiwan Semiconductor Corporation
6A20GHB0G
Taiwan Semiconductor Corporation
6A20GHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation
XC4010XL-1TQ144C
Xilinx Inc.
XC6SLX150-N3FG900C
Xilinx Inc.
A3P250-1VQG100I
Microsemi Corporation
A3PN250-Z1VQG100
Microsemi Corporation
EP4CGX50DF27C8N
Intel
5SGXEA5K3F35C2N
Intel
XC5VLX110T-2FF1136I
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000HC-4BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXFB3H4F35I3N
Intel
EP2AGX45DF29C6N
Intel