Référence fabricant | A430B |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-A430B |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
A430B Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1000A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.42V @ 3140A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 10µs |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 50mA @ 200V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | DO-200AB, B-PUK |
Package d'appareils du fournisseur | DO-200AB, B-PUK |
Température de fonctionnement - Jonction | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
A430B Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | A430B-FT |
6A10G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
6A10G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
6A10G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
6A10GHA0G
Taiwan Semiconductor Corporation
6A10GHB0G
Taiwan Semiconductor Corporation
6A10GHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation
6A20G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
6A20G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
6A20G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
6A20GHA0G
Taiwan Semiconductor Corporation
A54SX16A-1TQ144I
Microsemi Corporation
XC7A75T-3FGG484E
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG484I
Microsemi Corporation
APA1000-CQ352M
Microsemi Corporation
EP2C8F256C8N
Intel
5SGXEBBR1H43C2L
Intel
XC2V2000-4FFG896C
Xilinx Inc.
LCMXO256E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F780C6
Intel
EP4SGX110HF35I3
Intel