maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - RF / A3T21H360W23SR6
Référence fabricant | A3T21H360W23SR6 |
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Numéro de pièce future | FT-A3T21H360W23SR6 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
A3T21H360W23SR6 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | LDMOS (Dual) |
La fréquence | 2.11GHz ~ 2.2GHz |
Gain | 16.4dB |
Tension - Test | 28V |
Note actuelle | 10µA |
Figure de bruit | - |
Courant - Test | 600mA |
Puissance - sortie | 328W |
Tension - nominale | 65V |
Paquet / caisse | ACP-1230S-4L2S |
Package d'appareils du fournisseur | ACP-1230S-4L2S |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
A3T21H360W23SR6 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | A3T21H360W23SR6-FT |
VRF151MP
Microsemi Corporation
ARF1505
Microsemi Corporation
ARF466FL
Microsemi Corporation
ARF1519
Microsemi Corporation
ARF469AG
Microsemi Corporation
ARF469BG
Microsemi Corporation
PD57045-E
STMicroelectronics
PD57060TR-E
STMicroelectronics
PD85050S
STMicroelectronics
VRF141G
Microsemi Corporation
EP2C5T144C7
Intel
A1415A-1PQG100M
Microsemi Corporation
A1415A-PQ100I
Microsemi Corporation
XCKU035-1FBVA676I
Xilinx Inc.
XC6SLX100T-N3FG484I
Xilinx Inc.
EPF6010ATC100-2N
Intel
AT40K05AL-1DQC
Microchip Technology
XC2V1500-4BG575I
Xilinx Inc.
LCMXO256C-4M100I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C8Q208C8N
Intel