maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - RF / A2T23H200W23SR6
Référence fabricant | A2T23H200W23SR6 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-A2T23H200W23SR6 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
A2T23H200W23SR6 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | LDMOS |
La fréquence | 2.3GHz ~ 2.4GHz |
Gain | 15.5dB |
Tension - Test | 28V |
Note actuelle | 10µA |
Figure de bruit | - |
Courant - Test | 500mA |
Puissance - sortie | 51W |
Tension - nominale | 65V |
Paquet / caisse | ACP-1230S-4L2S |
Package d'appareils du fournisseur | ACP-1230S-4L2S |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
A2T23H200W23SR6 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | A2T23H200W23SR6-FT |
ARF468BG
Microsemi Corporation
ARF475FL
Microsemi Corporation
ARF1510
Microsemi Corporation
VRF2933MP
Microsemi Corporation
ARF1511
Microsemi Corporation
VRF151MP
Microsemi Corporation
ARF1505
Microsemi Corporation
ARF466FL
Microsemi Corporation
ARF1519
Microsemi Corporation
ARF469AG
Microsemi Corporation
A54SX32A-1TQG176M
Microsemi Corporation
A42MX36-3PQG208
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-6900C-5BG324I
Lattice Semiconductor Corporation
A3P125-2VQ100
Microsemi Corporation
5SGXMB5R1F40C1N
Intel
10AX032H4F35I3SG
Intel
XC4013XL-1BG256I
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000HE-6FG484C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K130EQI240-2
Intel
EP2AGZ300FF35I3N
Intel