maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - RF / A2T18S261W12NR3

NXP USA Inc. A2T18S261W12NR3

Name: A2T18S261W12NR3
Brand: NXP USA Inc.
SKU: A2T18S261W12NR3
Price: 54.140352 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (771 reviews)

Numéro de pièce MFG: A2T18S261W12NR3

quantité disponible: 75270 Pièces

Prix de référence: USD 54.140352

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: NXP USA Inc.

Brève description: - AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - RF

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: A2T18S261W12NR3.pdf

Demander un devis pour A2T18S261W12NR3

Nom de la compagnie

Contact

Numéro de téléphone

adresse

email

Message

A2T18S261W12NR3 Caractéristiques

Référence fabricant	A2T18S261W12NR3
Numéro de pièce future	FT-A2T18S261W12NR3
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	-
A2T18S261W12NR3 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de transistor	LDMOS
La fréquence	1.805GHz ~ 1.88GHz
Gain	18.2dB
Tension - Test	28V
Note actuelle	10µA
Figure de bruit	-
Courant - Test	1.5A
Puissance - sortie	280W
Tension - nominale	65V
Paquet / caisse	OM-880X-2L2L
Package d'appareils du fournisseur	OM-880X-2L2L
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
A2T18S261W12NR3 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	A2T18S261W12NR3-FT

Comment commander?

Demande d'offre - Confirmer le prix - Commande - Paiement - Envoi - Fait

méthodes de livraison

1) DHL (1-3 days)
2) FEDEX (1-3 days)
3) UPS (1-3 days)
4) TNT (2-5 days)
5) EMS (7-10 days)
6) Normal Post (10-20 days)
7) Others
Calcul du fret: veuillez nous contacter