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A2T18S260W12NR3 Image

NXP USA Inc. A2T18S260W12NR3

Numéro de pièce MFG
A2T18S260W12NR3
quantité disponible
14340 Pièces
Prix de référence
USD 145.83408
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Date d'expédition
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fabricant
NXP USA Inc.
Brève description
- AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - RF
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
A2T18S260W12NR3.pdf
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A2T18S260W12NR3 Caractéristiques

Référence fabricant A2T18S260W12NR3
Numéro de pièce future FT-A2T18S260W12NR3
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
A2T18S260W12NR3 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de transistor LDMOS
La fréquence 1.805GHz ~ 1.88GHz
Gain 18.7dB
Tension - Test 28V
Note actuelle 10µA
Figure de bruit -
Courant - Test 1.5A
Puissance - sortie 280W
Tension - nominale 65V
Paquet / caisse OM-880X-2L2L
Package d'appareils du fournisseur OM-880X-2L2L
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
A2T18S260W12NR3 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange A2T18S260W12NR3-FT

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