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A2T18S162W31GSR3 Image

NXP USA Inc. A2T18S162W31GSR3

Numéro de pièce MFG
A2T18S162W31GSR3
quantité disponible
17130 Pièces
Prix de référence
USD 81.876832
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Date d'expédition
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fabricant
NXP USA Inc.
Brève description
- IC TRANS RF LDMOS
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - RF
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
A2T18S162W31GSR3.pdf
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A2T18S162W31GSR3 Caractéristiques

Référence fabricant A2T18S162W31GSR3
Numéro de pièce future FT-A2T18S162W31GSR3
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
A2T18S162W31GSR3 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de transistor LDMOS
La fréquence 1.84GHz
Gain 20.1dB
Tension - Test 28V
Note actuelle -
Figure de bruit -
Courant - Test 1A
Puissance - sortie 32W
Tension - nominale 65V
Paquet / caisse NI-780GS-2L2LA
Package d'appareils du fournisseur NI-780GS-2L2LA
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
A2T18S162W31GSR3 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange A2T18S162W31GSR3-FT

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