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A2T18H455W23NR6 Image

NXP USA Inc. A2T18H455W23NR6

Numéro de pièce MFG
A2T18H455W23NR6
quantité disponible
24290 Pièces
Prix de référence
USD 110.9888
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Date d'expédition
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fabricant
NXP USA Inc.
Brève description
- AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - RF
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
A2T18H455W23NR6.pdf
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A2T18H455W23NR6 Caractéristiques

Référence fabricant A2T18H455W23NR6
Numéro de pièce future FT-A2T18H455W23NR6
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
A2T18H455W23NR6 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de transistor LDMOS
La fréquence 1.805GHz ~ 1.88GHz
Gain 14.5dB
Tension - Test 31.5V
Note actuelle 10µA
Figure de bruit -
Courant - Test 1.08A
Puissance - sortie 56dBm
Tension - nominale 65V
Paquet / caisse OM-1230-4L2S
Package d'appareils du fournisseur OM-1230-4L2S
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
A2T18H455W23NR6 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange A2T18H455W23NR6-FT

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