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A2T08VD020NT1 Image

NXP USA Inc. A2T08VD020NT1

Numéro de pièce MFG
A2T08VD020NT1
quantité disponible
28960 Pièces
Prix de référence
USD 19.053368
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Date d'expédition
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fabricant
NXP USA Inc.
Brève description
- AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - RF
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
A2T08VD020NT1.pdf
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A2T08VD020NT1 Caractéristiques

Référence fabricant A2T08VD020NT1
Numéro de pièce future FT-A2T08VD020NT1
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
A2T08VD020NT1 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de transistor LDMOS
La fréquence 728MHz ~ 960MHz
Gain 19.1dB
Tension - Test 48V
Note actuelle 10µA
Figure de bruit -
Courant - Test 40mA
Puissance - sortie 18W
Tension - nominale 105V
Paquet / caisse 24-QFN Exposed Pad
Package d'appareils du fournisseur 24-PQFN-EP (8x8)
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
A2T08VD020NT1 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange A2T08VD020NT1-FT

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