maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - RF / A2I25H060GNR1
Référence fabricant | A2I25H060GNR1 |
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Numéro de pièce future | FT-A2I25H060GNR1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
A2I25H060GNR1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | LDMOS (Dual) |
La fréquence | 2.59GHz |
Gain | 26.1dB |
Tension - Test | 28V |
Note actuelle | - |
Figure de bruit | - |
Courant - Test | 26mA |
Puissance - sortie | 10.5W |
Tension - nominale | 65V |
Paquet / caisse | TO-270-17 Variant, Gull Wing |
Package d'appareils du fournisseur | TO-270WBG-17 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
A2I25H060GNR1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | A2I25H060GNR1-FT |
MMBFJ310LT1G
ON Semiconductor
SMMBFJ310LT3G
ON Semiconductor
2SK3557-7-TB-E
ON Semiconductor
SMMBFJ310LT1G
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RFM03U3CT(TE12L)
Toshiba Semiconductor and Storage
BF245A,112
NXP USA Inc.
EP2C5T144C7
Intel
A1415A-1PQG100M
Microsemi Corporation
A1415A-PQ100I
Microsemi Corporation
XCKU035-1FBVA676I
Xilinx Inc.
XC6SLX100T-N3FG484I
Xilinx Inc.
EPF6010ATC100-2N
Intel
AT40K05AL-1DQC
Microchip Technology
XC2V1500-4BG575I
Xilinx Inc.
LCMXO256C-4M100I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C8Q208C8N
Intel