Référence fabricant | A177RB |
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Numéro de pièce future | FT-A177RB |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
A177RB Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard, Reverse Polarity |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 100A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | - |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 2.3µs |
Courant - Fuite inverse @ Vr | - |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Stud Mount |
Paquet / caisse | DO-205AA, DO-8, Stud |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Température de fonctionnement - Jonction | -40°C ~ 125°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
A177RB Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | A177RB-FT |
1N1616R
Microsemi Corporation
1N3175
Microsemi Corporation
1N3176
Microsemi Corporation
1N3288
Microsemi Corporation
1N3288AR
Powerex Inc.
1N3288R
Microsemi Corporation
1N3289
Microsemi Corporation
1N3289R
Microsemi Corporation
1N3290A
Powerex Inc.
1N3290AR
Powerex Inc.
A54SX16A-1TQ144I
Microsemi Corporation
XC7A75T-3FGG484E
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG484I
Microsemi Corporation
APA1000-CQ352M
Microsemi Corporation
EP2C8F256C8N
Intel
5SGXEBBR1H43C2L
Intel
XC2V2000-4FFG896C
Xilinx Inc.
LCMXO256E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F780C6
Intel
EP4SGX110HF35I3
Intel