Référence fabricant | A177N |
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Numéro de pièce future | FT-A177N |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
A177N Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 800V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 100A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | - |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 2.3µs |
Courant - Fuite inverse @ Vr | - |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Stud Mount |
Paquet / caisse | DO-205AA, DO-8, Stud |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Température de fonctionnement - Jonction | -40°C ~ 125°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
A177N Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | A177N-FT |
1N1614R
Microsemi Corporation
1N1615
Microsemi Corporation
1N1615R
Microsemi Corporation
1N1616
Microsemi Corporation
1N1616R
Microsemi Corporation
1N3175
Microsemi Corporation
1N3176
Microsemi Corporation
1N3288
Microsemi Corporation
1N3288AR
Powerex Inc.
1N3288R
Microsemi Corporation
LCMXO2-1200ZE-3TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1200E-4FG320C
Xilinx Inc.
XC2VP7-6FGG456C
Xilinx Inc.
A1010B-2PL68I
Microsemi Corporation
5SGXMA3K2F40I3N
Intel
5SEEBF45I3N
Intel
5SGXEA5K3F35I3N
Intel
XC4013XL-1BG256I
Xilinx Inc.
XC4VFX60-10FFG1152C
Xilinx Inc.
LCMXO640C-3B256I
Lattice Semiconductor Corporation