maison / des produits / Résistances / Résistances à montage sur châssis / 850F200E
Référence fabricant | 850F200E |
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Numéro de pièce future | FT-850F200E |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Metal-Mite®89 |
850F200E Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
La résistance | 200 Ohms |
Tolérance | ±1% |
Puissance (Watts) | 50W |
Composition | Wirewound |
Coéfficent de température | ±20ppm/°C |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 275°C |
Caractéristiques | - |
Revêtement, type de logement | Aluminum |
Fonction de montage | Flanges |
Taille / Dimension | 1.938" L x 1.156" W (49.23mm x 29.36mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.620" (15.75mm) |
Style de plomb | Solder Lugs |
Paquet / caisse | Axial, Box |
Taux d'échec | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
850F200E Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 850F200E-FT |
HS50 33K J
Ohmite
HS50 33R F
Ohmite
HS50 33R J
Ohmite
HS50 35R F
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HS50 390R J
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HS50 39R J
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HS50 3K F
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HS50 3K3 J
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HS50 3R F
Ohmite
EP20K100ETC144-1
Intel
XC3S700A-4FTG256I
Xilinx Inc.
XC6SLX75-3FGG676C
Xilinx Inc.
AT40K40AL-1DQC
Microchip Technology
5SGXMA7H3F35C2
Intel
A40MX02-PQ100M
Microsemi Corporation
LFEC10E-4F484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-5MG132I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S80B956C7N
Intel
EP3C25F324C6
Intel