maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / 71V67603S133BQ
Référence fabricant | 71V67603S133BQ |
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Numéro de pièce future | FT-71V67603S133BQ |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
71V67603S133BQ Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | SRAM |
La technologie | SRAM - Synchronous |
Taille mémoire | 9Mb (256K x 36) |
Fréquence d'horloge | 133MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | 4.2ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 3.135V ~ 3.465V |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 165-TBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 165-CABGA (13x15) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
71V67603S133BQ Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 71V67603S133BQ-FT |
IS61NLP102418B-200B3LI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS61LPS51236B-200B3LI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
71V3556SA100BQ
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V3556SA100BQ8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V3556SA100BQGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V3556SA100BQGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V3556SA100BQI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V3556SA100BQI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V3556SA133BQ
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V3556SA133BQ8
IDT, Integrated Device Technology Inc