maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / 71V65803S150BG8
Référence fabricant | 71V65803S150BG8 |
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Numéro de pièce future | FT-71V65803S150BG8 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
71V65803S150BG8 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | SRAM |
La technologie | SRAM - Synchronous ZBT |
Taille mémoire | 9Mb (512K x 18) |
Fréquence d'horloge | 150MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | 3.8ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 3.135V ~ 3.465V |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 119-BGA |
Package d'appareils du fournisseur | 119-PBGA (14x22) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
71V65803S150BG8 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 71V65803S150BG8-FT |
71V65803S100BGG
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V65803S100BGG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V65803S100BGGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V65803S100BGGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V65803S100BGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V65803S100BGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V65803S133BGG
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V65803S133BGG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V65803S133BGGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V65803S133BGGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
A40MX02-VQ80M
Microsemi Corporation
LAXP2-5E-5TN144E
Lattice Semiconductor Corporation
XC2V40-5FG256I
Xilinx Inc.
XC4010E-4PQ208C
Xilinx Inc.
XC7A25T-2CSG325C
Xilinx Inc.
M1A3P1000-2FGG256
Microsemi Corporation
AGL060V2-VQ100
Microsemi Corporation
EP4CE15U14A7N
Intel
EPF10K30EFC256-2N
Intel
EPF8636AQC208-3
Intel