maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / 71V65603S100BQ
Référence fabricant | 71V65603S100BQ |
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Numéro de pièce future | FT-71V65603S100BQ |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
71V65603S100BQ Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | SRAM |
La technologie | SRAM - Synchronous ZBT |
Taille mémoire | 9Mb (256K x 36) |
Fréquence d'horloge | 100MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | 5ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 3.135V ~ 3.465V |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 165-TBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 165-CABGA (13x15) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
71V65603S100BQ Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 71V65603S100BQ-FT |
71V65603S150BQG
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V65603S150BQG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V65603S150BQGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V65603S150BQI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V65603S150BQI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V65703S75BQ
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V65703S75BQ8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V65703S75BQG
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V65703S75BQG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V65703S80BQ
IDT, Integrated Device Technology Inc
A3P400-1FGG256
Microsemi Corporation
M2GL050S-1VFG400I
Microsemi Corporation
EPF10K10ATC100-3
Intel
EP4CE15F23C7
Intel
A1010B-1PL44I
Microsemi Corporation
XC2VP7-6FFG672I
Xilinx Inc.
APA600-FGG676I
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-5FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGTFD7D5F31I7N
Intel
10AX115R1F40E1SG
Intel