maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / 71V424S10YG
Référence fabricant | 71V424S10YG |
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Numéro de pièce future | FT-71V424S10YG |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
71V424S10YG Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | SRAM |
La technologie | SRAM - Asynchronous |
Taille mémoire | 4Mb (512K x 8) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 10ns |
Temps d'accès | 10ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 3V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 36-SOJ |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
71V424S10YG Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 71V424S10YG-FT |
71V416L10YG
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V416L10YG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V416L12YG
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V416L12YG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V416L12YGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V416L12YGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V416L15YGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V416L15YGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V416S15YG
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V416S15YGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
XC4006E-3TQ144C
Xilinx Inc.
XC6SLX150T-N3FGG900C
Xilinx Inc.
LFE3-17EA-6FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
10M08DCF484I7G
Intel
EP3CLS150F484C8
Intel
EP4CE115F23C7
Intel
XC2VP20-6FFG1152I
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000HE-6BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX027E2F27E1HG
Intel
EP4SGX360HF35I3N
Intel