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Référence fabricant | 71V416S10BEG |
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Numéro de pièce future | FT-71V416S10BEG |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
71V416S10BEG Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | SRAM |
La technologie | SRAM - Asynchronous |
Taille mémoire | 4Mb (256K x 16) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 10ns |
Temps d'accès | 10ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 3V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 48-TFBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 48-CABGA (9x9) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
71V416S10BEG Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 71V416S10BEG-FT |
7026S25J
IDT, Integrated Device Technology Inc
7026S25J8
IDT, Integrated Device Technology Inc
7026S35J
IDT, Integrated Device Technology Inc
7026S35J8
IDT, Integrated Device Technology Inc
7026S55J
IDT, Integrated Device Technology Inc
7026S55J8
IDT, Integrated Device Technology Inc
7026S55JI
IDT, Integrated Device Technology Inc
7026S55JI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V24L15J
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V24L15J8
IDT, Integrated Device Technology Inc
A54SX32A-1TQG144I
Microsemi Corporation
XC6SLX100T-2FG484I
Xilinx Inc.
A3P400-FG256
Microsemi Corporation
A42MX16-1VQ100I
Microsemi Corporation
EP3C80F484I7N
Intel
10CL120YF484C8G
Intel
A42MX16-TQ176A
Microsemi Corporation
5AGTFD7H3F35I5N
Intel
EP4SGX230DF29I4
Intel
EP1K100QC208-2N
Intel