maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / 71V416L10BE
Référence fabricant | 71V416L10BE |
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Numéro de pièce future | FT-71V416L10BE |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
71V416L10BE Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | SRAM |
La technologie | SRAM - Asynchronous |
Taille mémoire | 4Mb (256K x 16) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 10ns |
Temps d'accès | 10ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 3V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 48-TFBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 48-CABGA (9x9) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
71V416L10BE Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 71V416L10BE-FT |
7026L15J8
IDT, Integrated Device Technology Inc
7026L20J
IDT, Integrated Device Technology Inc
7026L20J8
IDT, Integrated Device Technology Inc
7026L20JI
IDT, Integrated Device Technology Inc
7026L20JI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
7026L25J
IDT, Integrated Device Technology Inc
7026L25J8
IDT, Integrated Device Technology Inc
7026L35J
IDT, Integrated Device Technology Inc
7026L35J8
IDT, Integrated Device Technology Inc
7026L55J
IDT, Integrated Device Technology Inc
XCS10XL-4VQG100I
Xilinx Inc.
XC6SLX25T-3FGG484I
Xilinx Inc.
A3P250L-VQG100I
Microsemi Corporation
5CEBA4F17C6N
Intel
EP4CE22E22C8L
Intel
LFE2M100E-7F900C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-3B256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-4MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA7F23I7N
Intel
5AGTFC7H3F35I3G
Intel