maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / 71V416L10BE
Référence fabricant | 71V416L10BE |
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Numéro de pièce future | FT-71V416L10BE |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
71V416L10BE Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | SRAM |
La technologie | SRAM - Asynchronous |
Taille mémoire | 4Mb (256K x 16) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 10ns |
Temps d'accès | 10ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 3V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 48-TFBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 48-CABGA (9x9) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
71V416L10BE Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 71V416L10BE-FT |
7026L15J8
IDT, Integrated Device Technology Inc
7026L20J
IDT, Integrated Device Technology Inc
7026L20J8
IDT, Integrated Device Technology Inc
7026L20JI
IDT, Integrated Device Technology Inc
7026L20JI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
7026L25J
IDT, Integrated Device Technology Inc
7026L25J8
IDT, Integrated Device Technology Inc
7026L35J
IDT, Integrated Device Technology Inc
7026L35J8
IDT, Integrated Device Technology Inc
7026L55J
IDT, Integrated Device Technology Inc
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Intel
M2GL025T-1FG484
Microsemi Corporation
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Intel
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Intel
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Xilinx Inc.
XC7K355T-1FFG901C
Xilinx Inc.
A54SX16A-1TQ100I
Microsemi Corporation
A40MX04-PQ100M
Microsemi Corporation
EP3CLS100F780I7
Intel
EP1S25F1020I6N
Intel