maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / 71V416L10BE
Référence fabricant | 71V416L10BE |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-71V416L10BE |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
71V416L10BE Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | SRAM |
La technologie | SRAM - Asynchronous |
Taille mémoire | 4Mb (256K x 16) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 10ns |
Temps d'accès | 10ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 3V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 48-TFBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 48-CABGA (9x9) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
71V416L10BE Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 71V416L10BE-FT |
7026L15J8
IDT, Integrated Device Technology Inc
7026L20J
IDT, Integrated Device Technology Inc
7026L20J8
IDT, Integrated Device Technology Inc
7026L20JI
IDT, Integrated Device Technology Inc
7026L20JI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
7026L25J
IDT, Integrated Device Technology Inc
7026L25J8
IDT, Integrated Device Technology Inc
7026L35J
IDT, Integrated Device Technology Inc
7026L35J8
IDT, Integrated Device Technology Inc
7026L55J
IDT, Integrated Device Technology Inc
A40MX02-VQG80M
Microsemi Corporation
XC3SD1800A-4CS484LI
Xilinx Inc.
XC2V500-5FG256I
Xilinx Inc.
A14V40A-VQG100C
Microsemi Corporation
5SGXMABN3F45C2LN
Intel
A3PE1500-FGG676I
Microsemi Corporation
M1A3P600-2FGG144I
Microsemi Corporation
LCMXO2-2000ZE-2BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K4F35I3SG
Intel
EP20K200EQC240-1X
Intel