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Référence fabricant | 71V256S10YG |
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Numéro de pièce future | FT-71V256S10YG |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
71V256S10YG Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | SRAM |
La technologie | SRAM - Asynchronous |
Taille mémoire | 256Kb (32K x 8) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 10ns |
Temps d'accès | 10ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 3V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 28-BSOJ (0.300", 7.62mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 28-SOJ |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
71V256S10YG Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 71V256S10YG-FT |
71V424L15YG
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V424L15YG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V424L15YGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V424S12YG
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V424S12YG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V424S12YGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V424S12YGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V424S15YG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V424S15YGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V424L12YGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
M2GL025-FCSG325I
Microsemi Corporation
M1A3P600-PQG208
Microsemi Corporation
EP4SGX360KF43C3
Intel
XC7S15-1CPGA196C
Xilinx Inc.
A42MX16-3TQ176I
Microsemi Corporation
A54SX08A-FGG144
Microsemi Corporation
A42MX16-3PQ100I
Microsemi Corporation
LFXP15C-4FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-6SE-5F256I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC7C6U19C6N
Intel