maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / 7164L35DB
Référence fabricant | 7164L35DB |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-7164L35DB |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
7164L35DB Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | SRAM |
La technologie | SRAM - Asynchronous |
Taille mémoire | 64Kb (8K x 8) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 35ns |
Temps d'accès | 35ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 4.5V ~ 5.5V |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 125°C (TA) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 28-CDIP (0.600", 15.24mm) |
Package d'appareils du fournisseur | 28-CerDip |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
7164L35DB Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 7164L35DB-FT |
71V256SA20PZG
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V256SA20PZG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71256SA15PZGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71256SA12PZ
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71256SA12PZ8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71256SA12PZI
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71256SA12PZI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71256SA15PZ
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71256SA15PZ8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71256SA15PZI
IDT, Integrated Device Technology Inc
EPF10K10TC144-4
Intel
A3P125-2PQG208
Microsemi Corporation
A54SX16A-PQG208I
Microsemi Corporation
LFE2M70E-6F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXMA5K2F35C3N
Intel
XC4028XL-1BG256C
Xilinx Inc.
A42MX24-3PL84
Microsemi Corporation
LFE2M20E-5F484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K2F40I2LG
Intel
EP3C80F780C8N
Intel