maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / 7130LA35J8
Référence fabricant | 7130LA35J8 |
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Numéro de pièce future | FT-7130LA35J8 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
7130LA35J8 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | SRAM |
La technologie | SRAM - Dual Port, Asynchronous |
Taille mémoire | 8Kb (1K x 8) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 35ns |
Temps d'accès | 35ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 4.5V ~ 5.5V |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 52-LCC (J-Lead) |
Package d'appareils du fournisseur | 52-PLCC (19.13x19.13) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
7130LA35J8 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 7130LA35J8-FT |
MT29F8G16ADBDAH4-AIT:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F8G08ABACAH4:C TR
Micron Technology Inc.
NAND01GR3B2BZA6E
Micron Technology Inc.
NAND01GW3B2AZA6E
STMicroelectronics
NAND01GW3B2BZA6E
Micron Technology Inc.
NAND512R3A2BZA6E
STMicroelectronics
NAND512R3A2CZA6E
Micron Technology Inc.
NAND512R3A2DZA6E
Micron Technology Inc.
NAND512W3A2BZA6E
STMicroelectronics
NAND512W3A2CZA6E
Micron Technology Inc.
EP2C5T144C7
Intel
XCV600-6FG676C
Xilinx Inc.
EP4CGX110CF23I7N
Intel
10M04SFE144C8G
Intel
EP3SL110F1152I4LN
Intel
A42MX16-FPQ100
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000HE-4FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95E-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX230DF29C2X
Intel
EPF81500ARC240-3
Intel