maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / 7130LA25J
Référence fabricant | 7130LA25J |
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Numéro de pièce future | FT-7130LA25J |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
7130LA25J Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | SRAM |
La technologie | SRAM - Dual Port, Asynchronous |
Taille mémoire | 8Kb (1K x 8) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 25ns |
Temps d'accès | 25ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 4.5V ~ 5.5V |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 52-LCC (J-Lead) |
Package d'appareils du fournisseur | 52-PLCC (19.13x19.13) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
7130LA25J Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 7130LA25J-FT |
MT29F4G08ABBDAH4-AITX:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F1G08ABBFAH4-ITE:F TR
Micron Technology Inc.
MT29F2G08ABAEAH4-AITX:E TR
Micron Technology Inc.
MT29F2G08ABAGAH4-IT:G TR
Micron Technology Inc.
MT29F8G16ADBDAH4-AIT:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F8G08ABACAH4:C TR
Micron Technology Inc.
NAND01GR3B2BZA6E
Micron Technology Inc.
NAND01GW3B2AZA6E
STMicroelectronics
NAND01GW3B2BZA6E
Micron Technology Inc.
NAND512R3A2BZA6E
STMicroelectronics