maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / 71256L55DB
Référence fabricant | 71256L55DB |
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Numéro de pièce future | FT-71256L55DB |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
71256L55DB Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | SRAM |
La technologie | SRAM - Asynchronous |
Taille mémoire | 256Kb (32K x 8) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 55ns |
Temps d'accès | 55ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 4.5V ~ 5.5V |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 125°C (TA) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 28-CDIP (0.600", 15.24mm) |
Package d'appareils du fournisseur | 28-CerDip |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
71256L55DB Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 71256L55DB-FT |
71256SA20PZG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71256SA20PZGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71256SA20PZGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71256SA25PZGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71256SA25PZGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V256SA12PZG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V256SA12PZGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V256SA12PZGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V256SA15PZG
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V256SA15PZG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
XCKU035-1FBVA676I
Xilinx Inc.
XC3S100E-4VQ100C
Xilinx Inc.
M2GL090TS-1FCSG325I
Microsemi Corporation
A3PE3000-2FGG484I
Microsemi Corporation
A3PN030-Z1QNG48I
Microsemi Corporation
M1A3P250-2PQG208
Microsemi Corporation
EP4CE10F17A7N
Intel
EPF10K30EFC256-3
Intel
LFE2-20E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K100EFC324-1
Intel