maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / 71256L35YG
Référence fabricant | 71256L35YG |
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Numéro de pièce future | FT-71256L35YG |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
71256L35YG Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | SRAM |
La technologie | SRAM - Asynchronous |
Taille mémoire | 256Kb (32K x 8) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 35ns |
Temps d'accès | 35ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 4.5V ~ 5.5V |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 28-BSOJ (0.300", 7.62mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 28-SOJ |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
71256L35YG Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 71256L35YG-FT |
IDT71V416VL12Y
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V416VL12Y8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V416VL15Y
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V416VL15Y8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V416VS10Y
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V416VS10Y8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V416VS15Y
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V416VS15Y8
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V416VS15YG
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT71V416VS15YG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
A40MX02-VQ80M
Microsemi Corporation
LAXP2-5E-5TN144E
Lattice Semiconductor Corporation
XC2V40-5FG256I
Xilinx Inc.
XC4010E-4PQ208C
Xilinx Inc.
XC7A25T-2CSG325C
Xilinx Inc.
M1A3P1000-2FGG256
Microsemi Corporation
AGL060V2-VQ100
Microsemi Corporation
EP4CE15U14A7N
Intel
EPF10K30EFC256-2N
Intel
EPF8636AQC208-3
Intel