maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / 71256L35DB
Référence fabricant | 71256L35DB |
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Numéro de pièce future | FT-71256L35DB |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
71256L35DB Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | SRAM |
La technologie | SRAM - Asynchronous |
Taille mémoire | 256Kb (32K x 8) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 35ns |
Temps d'accès | 35ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 4.5V ~ 5.5V |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 125°C (TA) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 28-CDIP (0.600", 15.24mm) |
Package d'appareils du fournisseur | 28-CerDip |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
71256L35DB Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 71256L35DB-FT |
71256SA20PZG
IDT, Integrated Device Technology Inc
71256SA20PZG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71256SA20PZGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71256SA20PZGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71256SA25PZGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71256SA25PZGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V256SA12PZG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V256SA12PZGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V256SA12PZGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
71V256SA15PZG
IDT, Integrated Device Technology Inc
EP1K30TC144-1N
Intel
LFEC3E-3T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2S200-6PQG208C
Xilinx Inc.
APA300-PQ208
Microsemi Corporation
ICE65L04F-LCB132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C35U484C8N
Intel
A42MX24-2PL84I
Microsemi Corporation
M1AGL1000V2-FGG144
Microsemi Corporation
LFE3-150EA-7FN672CTW
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX180HF35I4N
Intel